Intel prevê melhora de 30 a 50% utilizando de empilhamento 3D de transistores

Muitos já ouviram falar da lei de Moore. Essa lei proposta por Gordon Moore, cofundador da Intel, assim previu que um circuito integrado, dobraria sua densidade a cada dois anos. Desde sua criação essa lei foi no geral muito correta, com apenas nos últimos 6 anos termos um acréscimo de um ano a ela.

Porém muitos previam que a lei logo iria morrer, já que estamos beirando o que é fisicamente possível no quesito densidade. Isso se deve a influência que um transistor iria ter sobre o outro se reduzirmos muito mais a escala, impossibilitando essa redução.

Dica: utilize as legendas apertando [C]

O que esses pessimistas não contavam é com a capacidade do ser humano se adaptar, e a Intel parece já ter o próximo passo. Assim o gargalo atual se deve a que transistores atualmente ficam todos no mesmo plano, fazendo com que seja impossível de adicionar mais lado a lado devido a interferências. Mas o que a Intel achou de solução é brilhante, colocando um transistor em cima do outro, fazendo com que seja possível esse salto.

Com essa possibilidade de se colocar um transistor em cima de outro, abre um novo precedente que pode aumentar a densidade em até 10x e com isso uma melhora de 30 a 50% na área utilizada. Assim possibilitando ainda mais designs eficientes e melhora em consumo e potência para nós.

Essas melhorias estão se concretizando agora nos laboratórios, e assim devem chegar ao público por volta de 2025. Isso dará uma sobrevida à lei de Moore, e se continuarmos nesse caminho talvez teremos sua duração indeterminada.

Fonte: Intel via VideoCardz

Leia Mais
APUs dos Ryzen 6000 aparentemente já estão sendo fabricadas